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IRFIBF20GPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFIBF20GPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFIBF20GPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFIBF20GPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
IRFIBF20G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 36420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFIBF20GPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFIBF20GPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFIBF20GPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 720mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFIBF20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFIBF20GPBF

Proprietà del prodotto IRFIBF20GPBF IRFIBE20GPBF IRFIBC40GLCPBF IRFIZ14G
Modello di prodotti IRFIBF20GPBF IRFIBE20GPBF IRFIBC40GLCPBF IRFIZ14G
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 800 V 600 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 720mA, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V 1.2Ohm @ 2.1A, 10V 200mOhm @ 4.8A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Tc) 1.4A (Tc) 3.5A (Tc) 8A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc) 27W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IRFIBF20 IRFIBE20 IRFIBC40 IRFIZ14
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFIBF20GPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFIBF20GPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFIBF20GPBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Schede tecniche
IRFIBF20G.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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