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IRFIBE30G Image
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IRFIBE30G - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFIBE30G
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFIBE30G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
IRFIBE30G.pdf
In magazzino: 4450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFIBE30G
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFIBE30G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFIBE30G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFIBE30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFIBE30G

Proprietà del prodotto IRFIBE30G IRFIBE30GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30GPBF
Modello di prodotti IRFIBE30G IRFIBE30GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30GPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Tc) 2.1A (Tc) 14A (Tc) 1.9A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFIBE30 IRFIBE30 IRFIZ24 IRFIBF30
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 60 V 900 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 37W (Tc) 35W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Rds On (max) a Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V 3Ohm @ 1.3A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V

IRFIBE30G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFIBE30G PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFIBE30G - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRFIBE30G.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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