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IRFIBE20GPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFIBE20GPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFIBE20GPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFIBE20GPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
IRFIBE20G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38164

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFIBE20GPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFIBE20GPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFIBE20GPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5Ohm @ 840mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFIBE20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFIBE20GPBF

Proprietà del prodotto IRFIBE20GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30G IRFIBE20G
Modello di prodotti IRFIBE20GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30G IRFIBE20G
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 60 V 900 V 800 V
Numero di prodotto di base IRFIBE20 IRFIZ24 IRFIBF30 IRFIBE20
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc) 14A (Tc) 1.9A (Tc) 1.4A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5Ohm @ 840mA, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) 37W (Tc) 35W (Tc) 30W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFIBE20GPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFIBE20GPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFIBE20GPBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Schede tecniche
IRFIBE20G.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFIBE20GPBF

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