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IRFIBC40GLCPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFIBC40GLCPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFIBC40GLCPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFIBC40GLCPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Scheda dati
Power MOSFET.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 16170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFIBC40GLCPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFIBC40GLCPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFIBC40GLCPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFIBC40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFIBC40GLCPBF

Proprietà del prodotto IRFIBC40GLCPBF IRFIBF30G IRFIB8N50KPBF IRFIBE20GPBF
Modello di prodotti IRFIBC40GLCPBF IRFIBF30G IRFIB8N50KPBF IRFIBE20GPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 2160 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Tc) 1.9A (Tc) 6.7A (Tc) 1.4A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 35W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc)
Serie - - - -
Numero di prodotto di base IRFIBC40 IRFIBF30 IRFIB8 IRFIBE20
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 900 V 500 V 800 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 350mOhm @ 4A, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFIBC40GLCPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFIBC40GLCPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFIBC40GLCPBF - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Schede tecniche
Power MOSFET.pdf

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Europa Germania 5
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