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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDN3545N3-G
DN3545N3-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DN3545N3-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
DN3545N3-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-DN3545N3-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
DN3545.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DN3545N3-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - DN3545N3-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - DN3545N3-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20Ohm @ 150mA, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 740mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Tensione drain-source (Vdss) 450 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 136mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DN3545  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology DN3545N3-G

Proprietà del prodotto DN3545N3-G DN3135K1-G STD11NM50N DN3545N8-G
Modello di prodotti DN3545N3-G DN3135K1-G STD11NM50N DN3545N8-G
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology STMicroelectronics Microchip Technology
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA
Rds On (max) a Id, Vgs 20Ohm @ 150mA, 0V 35Ohm @ 150mA, 0V 470mOhm @ 4.5A, 10V 20Ohm @ 150mA, 0V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Depletion Mode Depletion Mode - Depletion Mode
Serie - - MDmesh™ II -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base DN3545 DN3135 STD11 DN3545
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V 0V 10V 0V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) SOT-23-3 DPAK TO-243AA (SOT-89)
Dissipazione di potenza (max) 740mW (Ta) 360mW (Ta) 70W (Tc) 1.6W (Ta)
Pacchetto Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 547 pF @ 50 V 360 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id - - 4V @ 250µA -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 136mA (Ta) 72mA (Tj) 8.5A (Tc) 200mA (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 450 V 350 V 500 V 450 V

DN3545N3-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DN3545N3-G PDF e la documentazione Microchip Technology per DN3545N3-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Schede tecniche
DN3545.pdf
PCN Design/Specifica
DN3545 23/Apr/2018.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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