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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDN3145N8-G
DN3145N8-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DN3145N8-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
DN3145N8-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-DN3145N8-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
DN3145N8-G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 64510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DN3145N8-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - DN3145N8-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - DN3145N8-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 60Ohm @ 100mA, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Tensione drain-source (Vdss) 450 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Tj)  
Numero di prodotto di base DN3145  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology DN3145N8-G

Proprietà del prodotto DN3145N8-G AO3401A DN3135K1-G DN3545N3-G
Modello di prodotti DN3145N8-G AO3401A DN3135K1-G DN3545N3-G
fabbricante Microchip Technology Alpha & Omega Semiconductor Inc. Microchip Technology Microchip Technology
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V 2.5V, 10V 0V 0V
Numero di prodotto di base DN3145 AO34 DN3135 DN3545
Vgs (th) (max) a Id - 1.3V @ 250µA - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Caratteristica FET Depletion Mode - Depletion Mode Depletion Mode
Tensione drain-source (Vdss) 450 V 30 V 350 V 450 V
Rds On (max) a Id, Vgs 60Ohm @ 100mA, 0V 44mOhm @ 4.3A, 10V 35Ohm @ 150mA, 0V 20Ohm @ 150mA, 0V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V 1200 pF @ 15 V 120 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) 1.4W (Ta) 360mW (Ta) 740mW (Ta)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89) SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92 (TO-226)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Tj) 4A (Ta) 72mA (Tj) 136mA (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-243AA 3-SMD, SOT-23-3 Variant TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

DN3145N8-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DN3145N8-G PDF e la documentazione Microchip Technology per DN3145N8-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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