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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDN3535N8-G
DN3535N8-G Image
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DN3535N8-G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
DN3535N8-G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-DN3535N8-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
DN3535N8-G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 70800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DN3535N8-G
Specifiche tecniche Microchip Technology - DN3535N8-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - DN3535N8-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 150mA, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Tensione drain-source (Vdss) 350 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA (Tj)  
Numero di prodotto di base DN3535  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology DN3535N8-G

Proprietà del prodotto DN3535N8-G DN3135N8-G AUIRF1010EZS BUK9Y19-55B/C2,115
Modello di prodotti DN3535N8-G DN3135N8-G AUIRF1010EZS BUK9Y19-55B/C2,115
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Infineon Technologies Nexperia USA Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 230mA (Tj) 135mA (Tj) 75A (Tc) 46A
Tensione drain-source (Vdss) 350 V 350 V 60 V 55 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.3W (Ta) 140W (Tc) -
Caratteristica FET Depletion Mode Depletion Mode - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - HEXFET® TrenchMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-243AA (SOT-89) TO-243AA (SOT-89) PG-TO263-3 LFPAK56, Power-SO8
Numero di prodotto di base DN3535 DN3135 - -
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 150mA, 0V 35Ohm @ 150mA, 0V 8.5mOhm @ 51A, 10V 17.3mOhm @ 20A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 2810 pF @ 25 V 1992 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-243AA TO-243AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-100, SOT-669
Vgs (th) (max) a Id - - 4V @ 250µA 2V @ 1mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V 0V 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

DN3535N8-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DN3535N8-G PDF e la documentazione Microchip Technology per DN3535N8-G - Microchip Technology.

Packaging PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site Revision 07/Apr/2015.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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