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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloDN350T05-7
DN350T05-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

DN350T05-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DN350T05-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DN350T05-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DN350T05.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 574550

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche DN350T05-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DN350T05-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DN350T05-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Potenza - Max 300 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 50MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base DN350T05  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DN350T05-7

Proprietà del prodotto DN350T05-7 ZTX1149A DN3545N8 DN3325
Modello di prodotti DN350T05-7 ZTX1149A DN3545N8 DN3325
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Micrel / Microchip Technology A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 E-Line-3 - -
Potenza - Max 300 mW 1 W - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V 25 V - -
Frequenza - transizione 50MHz 135MHz - -
Serie - - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA 300mV @ 70mA, 3A - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO) 100nA - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V 250 @ 500mA, 2V - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 3 A - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 E-Line (TO-92 compatible) - -
Tipo transistor NPN PNP - -
Numero di prodotto di base DN350T05 ZTX1149 - -

DN350T05-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DN350T05-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DN350T05-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site 16/Oct/2020.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN Design/Specifica
Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Schede tecniche
DN350T05.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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