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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT34F60B
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT34F60B - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT34F60B
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT34F60B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 36A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT34F60B
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT34F60B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT34F60B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 624W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6640 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT34F60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT34F60B

Proprietà del prodotto APT34F60B APT34F100L APT34M120J APT34M60B
Modello di prodotti APT34F60B APT34F100L APT34M120J APT34M60B
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 36A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6640 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 18200 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 1200 V 600 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] TO-264 [L] SOT-227 TO-247 [B]
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 1mA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Serie - - - POWER MOS 8™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 624W (Tc) 1135W (Tc) 960W (Tc) 624W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 560 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 300mOhm @ 25A, 10V 190mOhm @ 17A, 10V
Numero di prodotto di base APT34F60 APT34F100 APT34M120 APT34M60
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V

APT34F60B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT34F60B PDF e la documentazione Microchip Technology per APT34F60B - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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