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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloAPT33GF120B2RDQ2G
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT33GF120B2RDQ2G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT33GF120B2RDQ2G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT33GF120B2RDQ2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2644

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT33GF120B2RDQ2G
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT33GF120B2RDQ2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT33GF120B2RDQ2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3V @ 15V, 25A  
Condizione di test 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 14ns/185ns  
di scambio energetico 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)  
Serie -  
Potenza - Max 357 W  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT NPT  
carica gate 170 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 75 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 64 A  
Numero di prodotto di base APT33GF120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT33GF120B2RDQ2G

Proprietà del prodotto APT33GF120B2RDQ2G APT33GF120BRG APT33GF120LRDQ2G APT32M80J
Modello di prodotti APT33GF120B2RDQ2G APT33GF120BRG APT33GF120LRDQ2G APT32M80J
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
Condizione di test 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V - 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V -
Tipo IGBT NPT NPT NPT -
carica gate 170 nC 170 nC 170 nC -
Vce (on) (max) a VGE, Ic 3V @ 15V, 25A 3.2V @ 15V, 25A 3V @ 15V, 25A -
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 75 A 104 A 75 A -
Td (on / off) @ 25 ° C 14ns/185ns 25ns/210ns 14ns/185ns -
Numero di prodotto di base APT33GF120 APT33GF120 APT33GF120 APT32M80
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
di scambio energetico 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Tipo di ingresso Standard Standard Standard -
Serie - - - POWER MOS 8™
Corrente - collettore (Ic) (max) 64 A 52 A 64 A -
Potenza - Max 357 W 297 W 357 W -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 1200 V 1200 V -

APT33GF120B2RDQ2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT33GF120B2RDQ2G PDF e la documentazione Microchip Technology per APT33GF120B2RDQ2G - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
APT1/2/3/4/5/6/8xx 22/Dec/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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