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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT32F120J
APT32F120J Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT32F120J - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT32F120J
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT32F120J
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1200V 33A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 749

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT32F120J
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT32F120J, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT32F120J

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (max) a Id, Vgs 320mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 560 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT32F120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT32F120J

Proprietà del prodotto APT32F120J APT34F60B APT34F100L APT34M120J
Modello di prodotti APT32F120J APT34F60B APT34F100L APT34M120J
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Rds On (max) a Id, Vgs 320mOhm @ 25A, 10V 210mOhm @ 17A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 300mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® TO-247 [B] TO-264 [L] SOT-227
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 2.5mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 560 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 560 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18200 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 18200 pF @ 25 V
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc) 624W (Tc) 1135W (Tc) 960W (Tc)
Serie POWER MOS 8™ - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 1000 V 1200 V
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base APT32F120 APT34F60 APT34F100 APT34M120

APT32F120J Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT32F120J PDF e la documentazione Microchip Technology per APT32F120J - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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