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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT34N80B2C3G
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT34N80B2C3G - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT34N80B2C3G
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT34N80B2C3G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3 Variant
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5047

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT34N80B2C3G
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT34N80B2C3G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT34N80B2C3G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2]  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT34N80  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT34N80B2C3G

Proprietà del prodotto APT34N80B2C3G APT34F60B APT34F100L APT34F100B2
Modello di prodotti APT34N80B2C3G APT34F60B APT34F100L APT34F100B2
fabbricante Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Numero di prodotto di base APT34N80 APT34F60 APT34F100 APT34F100
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc) 624W (Tc) 1135W (Tc) 1135W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Contenitore / involucro TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 600 V 1000 V 1000 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V 6640 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V 9835 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 2mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Rds On (max) a Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V 210mOhm @ 17A, 10V 400mOhm @ 18A, 10V 380mOhm @ 18A, 10V
Serie - - - POWER MOS 8™
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore T-MAX™ [B2] TO-247 [B] TO-264 [L] T-MAX™ [B2]
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)

APT34N80B2C3G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT34N80B2C3G PDF e la documentazione Microchip Technology per APT34N80B2C3G - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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