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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17382F4T
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17382F4T - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17382F4T
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17382F4T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-XFDFN
Scheda dati
CSD17382F4T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 56020

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17382F4T
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17382F4T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17382F4T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) 10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 64mOhm @ 500mA, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-XFDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 347 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base CSD17382  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17382F4T

Proprietà del prodotto CSD17382F4T CSD17483F4T CSD17327Q5A CSD17507Q5A
Modello di prodotti CSD17382F4T CSD17483F4T CSD17327Q5A CSD17507Q5A
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Numero di prodotto di base CSD17382 CSD17483 CSD17327 CSD17507
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V 1.3 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) 10V 12V ±10V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V 1.8V, 4.5V 4.5V, 8V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie FemtoFET™ FemtoFET™ NexFET™ NexFET™
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 64mOhm @ 500mA, 8V 240mOhm @ 500mA, 8V 12.2mOhm @ 11A, 8V 10.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 347 pF @ 15 V 190 pF @ 15 V 506 pF @ 15 V 530 pF @ 15 V
Contenitore / involucro 3-XFDFN 3-XFDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta) 1.5A (Ta) 65A (Tc) 13A (Ta), 65A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

CSD17382F4T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD17382F4T PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD17382F4T - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
Packaging PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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