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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17311Q5
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17311Q5 - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17311Q5
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17311Q5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD17311Q5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33627

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17311Q5
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17311Q5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17311Q5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD17311  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17311Q5

Proprietà del prodotto CSD17311Q5 CSD17310Q5A CSD17381F4 CSD17313Q2
Modello di prodotti CSD17311Q5 CSD17310Q5A CSD17381F4 CSD17313Q2
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 11.6 nC @ 4.5 V 1.35 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR 6-WSON (2x2)
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V 12V +10V, -8V
Vgs (th) (max) a Id 1.6V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V 3V, 8V 1.8V, 4.5V 3V, 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 15 V 1560 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 340 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta) 3.1W (Ta) 500mW (Ta) 2.3W (Ta)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 3-XFDFN 6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 3.1A (Ta) 5A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 8V 5.1mOhm @ 20A, 8V 109mOhm @ 500mA, 8A 30mOhm @ 4A, 8V
Numero di prodotto di base CSD17311 CSD17310 CSD17381 CSD17313
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

CSD17311Q5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CSD17311Q5 PDF e la documentazione Texas Instruments per CSD17311Q5 - Texas Instruments.

PCN Design/Specifica
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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