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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCSD17310Q5A
Texas Instruments
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CSD17310Q5A - Texas Instruments

fabbricante Modello di prodotti
CSD17310Q5A
fabbricante
Texas Instruments
Allelco Modello di prodotti
32D-CSD17310Q5A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
CSD17310Q5A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 95830

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CSD17310Q5A
Specifiche tecniche Texas Instruments - CSD17310Q5A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Texas Instruments - CSD17310Q5A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Texas Instruments  
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 8V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base CSD17310  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Texas Instruments CSD17310Q5A

Proprietà del prodotto CSD17310Q5A CSD17318Q2 CSD17311Q5 CSD17312Q5
Modello di prodotti CSD17310Q5A CSD17318Q2 CSD17311Q5 CSD17312Q5
fabbricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 100A (Tc) 25A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) 16W (Tc) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 36 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 15 V 879 pF @ 15 V 4280 pF @ 15 V 5240 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 8V 15.1mOhm @ 8A, 8V 2mOhm @ 30A, 8V 1.5mOhm @ 35A, 8V
Vgs (Max) +10V, -8V ±10V +10V, -8V +10V, -8V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-VSONP (5x6) 6-WSON (2x2) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V 2.5V, 8V 3V, 8V 3V, 8V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base CSD17310 CSD17318 CSD17311 CSD17312
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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