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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciVWM200-01P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

VWM200-01P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
VWM200-01P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-VWM200-01P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
V2-PAK
Scheda dati
VWM200-01P.pdf
In magazzino: 3850

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Specifiche

Specifiche tecnologiche VWM200-01P
Specifiche tecniche IXYS - VWM200-01P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - VWM200-01P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore V2-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V  
Potenza - Max -  
Contenitore / involucro V2-PAK  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 210A  
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  
Numero di prodotto di base VWM200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS VWM200-01P

Proprietà del prodotto VWM200-01P FDMS3669S FDPC8011S AO6602L
Modello di prodotti VWM200-01P FDMS3669S FDPC8011S AO6602L
fabbricante IXYS onsemi onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2mA 2.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base VWM200 FDMS3669 FDPC8 AO660
Tipo montaggio Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 1605pF @ 15V 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V 240pF @ 15V
Contenitore / involucro V2-PAK 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN SC-74, SOT-457
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V 24nC @ 10V 19nC @ 10V, 64nC @ 10V 8.5nC @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30V 25V 30V
Contenitore dispositivo fornitore V2-PAK Power56 Powerclip-33 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 210A 13A, 18A 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) -
Caratteristica FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max - 1W 800mW (Ta), 900mW (Ta) 1.15W
Rds On (max) a Id, Vgs 5.2mOhm @ 100A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V 75mOhm @ 3.1A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical N and P-Channel Complementary
Serie - PowerTrench® PowerTrench® -

VWM200-01P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica VWM200-01P PDF e la documentazione IXYS per VWM200-01P - IXYS.

Schede tecniche
VWM200-01P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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