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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDG6318P
FDG6318P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDG6318P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDG6318P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDG6318P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
FDG6318P.pdf
In magazzino: 5310

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDG6318P
Specifiche tecniche onsemi - FDG6318P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDG6318P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V  
Potenza - Max 300mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDG6318  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDG6318P

Proprietà del prodotto FDG6318P FDG6321C FDG6314P FDG6316P
Modello di prodotti FDG6318P FDG6321C FDG6314P FDG6316P
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 20V 25V 25V 12V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA 500mA, 410mA - 700mA
Configurazione 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base FDG6318 FDG6321 FDG6314 FDG6316
Serie - - - PowerTrench®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V - 2.4nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 300mW 300mW - 300mW
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Rds On (max) a Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V - 270mOhm @ 700mA, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V 50pF @ 10V - 146pF @ 6V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 1.5V @ 250µA

FDG6318P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDG6318P PDF e la documentazione onsemi per FDG6318P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf Mold Compound 07/May/2008.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf
Schede tecniche
FDG6318P.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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