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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS6912A
FDS6912A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS6912A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDS6912A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6912A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6912A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 108230

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6912A
Specifiche tecniche onsemi - FDS6912A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDS6912A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDS69  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDS6912A

Proprietà del prodotto FDS6912A FDS6912 FDS6930A FDS6912
Modello di prodotti FDS6912A FDS6912 FDS6930A FDS6912
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 740pF @ 15V 460pF @ 15V 740pF @ 15V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 900mW 2W (Ta) 900mW 900mW
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 6A (Ta) 5.5A 6A
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V 40mOhm @ 5.5A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V 10nC @ 5V 7nC @ 5V 10nC @ 5V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base FDS69 FDS69 FDS6930 FDS69
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDS6912A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS6912A PDF e la documentazione onsemi per FDS6912A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
FDSYYY 18/Jun/2018.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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