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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ140N10P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTQ140N10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ140N10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ140N10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXT(Q,T)140N10P.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5458

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ140N10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ140N10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ140N10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ140  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ140N10P

Proprietà del prodotto IXTQ140N10P IXTQ120N20P IXTQ14N60P IXTQ18N60P
Modello di prodotti IXTQ140N10P IXTQ120N20P IXTQ14N60P IXTQ18N60P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 550mOhm @ 7A, 10V 420mOhm @ 9A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 600 V 600 V
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc) 714W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc)
Serie Polar Polar Polar Polar
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc) 120A (Tc) 14A (Tc) 18A (Tc)
Numero di prodotto di base IXTQ140 IXTQ120 IXTQ14 IXTQ18
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXTQ140N10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ140N10P PDF e la documentazione IXYS per IXTQ140N10P - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Schede tecniche
IXT(Q,T)140N10P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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