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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ182N055T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTQ182N055T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ182N055T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ182N055T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXT(H,Q)182N055T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4290

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ182N055T
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ182N055T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ182N055T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie TrenchMV™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 182A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ182  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ182N055T

Proprietà del prodotto IXTQ182N055T IXTQ130N10T IXTQ200N10T IXTQ26N50P
Modello di prodotti IXTQ182N055T IXTQ130N10T IXTQ200N10T IXTQ26N50P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 182A (Tc) 130A (Tc) 200A (Tc) 26A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Serie TrenchMV™ Trench Trench Polar
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 230mOhm @ 13A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 100 V 100 V 500 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 360W (Tc) 550W (Tc) 400W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base IXTQ182 IXTQ130 IXTQ200 IXTQ26
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P

IXTQ182N055T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ182N055T PDF e la documentazione IXYS per IXTQ182N055T - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Schede tecniche
IXT(H,Q)182N055T.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf

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Europa Germania 5
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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