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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTQ16N50P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXTQ16N50P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTQ16N50P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTQ16N50P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
IXT(A,P,Q) 16N50P.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 12619

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTQ16N50P
Specifiche tecniche IXYS - IXTQ16N50P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTQ16N50P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTQ16  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTQ16N50P

Proprietà del prodotto IXTQ16N50P IXTQ18N60P IXTQ200N10T IXTQ22N50P
Modello di prodotti IXTQ16N50P IXTQ18N60P IXTQ200N10T IXTQ22N50P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 360W (Tc) 550W (Tc) 350W (Tc)
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 8A, 10V 420mOhm @ 9A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 270mOhm @ 11A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Polar Polar Trench Polar
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) 18A (Tc) 200A (Tc) 22A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 100 V 500 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 2630 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base IXTQ16 IXTQ18 IXTQ200 IXTQ22
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P

IXTQ16N50P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTQ16N50P PDF e la documentazione IXYS per IXTQ16N50P - IXYS.

PCN Design/Specifica
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Schede tecniche
IXT(A,P,Q) 16N50P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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