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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA60N20T
IXTA60N20T Image
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IXTA60N20T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA60N20T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA60N20T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IXT(A,P,Q)60N20T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9214

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA60N20T
Specifiche tecniche IXYS - IXTA60N20T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA60N20T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA60N20T

Proprietà del prodotto IXTA60N20T IXTA80N10T IXTA6N50D2 IXTA50N25T
Modello di prodotti IXTA60N20T IXTA80N10T IXTA6N50D2 IXTA50N25T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 96 nC @ 5 V 78 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 500 V 250 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Trench Trench Depletion Trench
Caratteristica FET - - Depletion Mode -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA - 5V @ 1mA
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 25A, 10V 500mOhm @ 3A, 0V 50mOhm @ 25A, 10V
Numero di prodotto di base IXTA60 IXTA80 IXTA6 IXTA50
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 400W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 80A (Tc) 6A (Tc) 50A (Tc)

IXTA60N20T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTA60N20T PDF e la documentazione IXYS per IXTA60N20T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P,Q)60N20T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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