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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA52P10P
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTA52P10P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA52P10P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA52P10P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IXT(A,H,P,Q)52P10P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12974

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA52P10P
Specifiche tecniche IXYS - IXTA52P10P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA52P10P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA  
Serie PolarP™  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 52A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2845 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA52  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA52P10P

Proprietà del prodotto IXTA52P10P IXTA44P15T IXTA3N50D2 IXTA60N20T
Modello di prodotti IXTA52P10P IXTA44P15T IXTA3N50D2 IXTA60N20T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie PolarP™ TrenchP™ Depletion Trench
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2845 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 1070 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 500 V 200 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA - 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 298W (Tc) 125W (Tc) 500W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 175 nC @ 10 V 40 nC @ 5 V 73 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 52A, 10V 65mOhm @ 22A, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 0V 40mOhm @ 30A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 52A (Tc) 44A (Tc) 3A (Tc) 60A (Tc)
Numero di prodotto di base IXTA52 IXTA44 IXTA3 IXTA60
Caratteristica FET - - Depletion Mode -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V

IXTA52P10P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTA52P10P PDF e la documentazione IXYS per IXTA52P10P - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,H,P,Q)52P10P.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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