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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA6N50D2
IXTA6N50D2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTA6N50D2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA6N50D2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA6N50D2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IXT(A,P,H)6N50D2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7571

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA6N50D2
Specifiche tecniche IXYS - IXTA6N50D2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA6N50D2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA  
Serie Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 3A, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA6N50D2

Proprietà del prodotto IXTA6N50D2 IXTA80N10T IXTA52P10P IXTA48P05T
Modello di prodotti IXTA6N50D2 IXTA80N10T IXTA52P10P IXTA48P05T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 100 V 100 V 50 V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 2845 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 80A (Tc) 52A (Tc) 48A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IXTA6 IXTA80 IXTA52 IXTA48
Vgs (th) (max) a Id - 5V @ 100µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie Depletion Trench PolarP™ TrenchP™
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 3A, 0V 14mOhm @ 25A, 10V 50mOhm @ 52A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V
Caratteristica FET Depletion Mode - - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 5 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V

IXTA6N50D2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTA6N50D2 PDF e la documentazione IXYS per IXTA6N50D2 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P,H)6N50D2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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