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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA3N50D2
IXTA3N50D2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTA3N50D2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA3N50D2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA3N50D2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IXT(A,P)3N50D2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17525

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA3N50D2
Specifiche tecniche IXYS - IXTA3N50D2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA3N50D2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA  
Serie Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V  
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET Depletion Mode  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA3N50D2

Proprietà del prodotto IXTA3N50D2 IXTA44P15T IXTA48P05T IXTA60N20T
Modello di prodotti IXTA3N50D2 IXTA44P15T IXTA48P05T IXTA60N20T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 150 V 50 V 200 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V 65mOhm @ 22A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V
Numero di prodotto di base IXTA3 IXTA44 IXTA48 IXTA60
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Depletion TrenchP™ TrenchP™ Trench
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V 175 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) 298W (Tc) 150W (Tc) 500W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 44A (Tc) 48A (Tc) 60A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
Caratteristica FET Depletion Mode - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±15V ±15V ±20V

IXTA3N50D2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTA3N50D2 PDF e la documentazione IXYS per IXTA3N50D2 - IXYS.

Schede tecniche
IXT(A,P)3N50D2.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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