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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN70N120SK
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN70N120SK - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN70N120SK
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN70N120SK
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN70N120SK.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN70N120SK
Specifiche tecniche IXYS - IXFN70N120SK, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN70N120SK

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 15mA  
Vgs (Max) +20V, -5V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN70N120SK

Proprietà del prodotto IXFN70N120SK IXFN60N60 IXFN70N60Q2 IXFN66N85X
Modello di prodotti IXFN70N120SK IXFN60N60 IXFN70N60Q2 IXFN66N85X
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 600 V 850 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Dissipazione di potenza (max) - 700W (Tc) 890W (Tc) 830W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V 15000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V 380 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +20V, -5V ±20V ±30V ±30V
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 15mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Serie - HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Ultra X
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 68A (Tc) 60A (Tc) 70A (Tc) 65A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V 75mOhm @ 500mA, 10V 80mOhm @ 35A, 10V 65mOhm @ 33A, 10V
Numero di prodotto di base IXFN70 IXFN60 IXFN70 IXFN66
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V

IXFN70N120SK Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN70N120SK PDF e la documentazione IXYS per IXFN70N120SK - IXYS.

Schede tecniche
IXFN70N120SK.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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