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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN66N50Q2
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IXFN66N50Q2 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN66N50Q2
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN66N50Q2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN66N50Q2.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN66N50Q2
Specifiche tecniche IXYS - IXFN66N50Q2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN66N50Q2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 199 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN66  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN66N50Q2

Proprietà del prodotto IXFN66N50Q2 IXFN72N55Q2 IXFN64N50P IXFN60N60
Modello di prodotti IXFN66N50Q2 IXFN72N55Q2 IXFN64N50P IXFN60N60
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 85mOhm @ 32A, 10V 75mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base IXFN66 IXFN72 IXFN64 IXFN60
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 735W (Tc) 890W (Tc) 700W (Tc) 700W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc) 72A (Tc) 61A (Tc) 60A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 550 V 500 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 199 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™

IXFN66N50Q2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN66N50Q2 PDF e la documentazione IXYS per IXFN66N50Q2 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
IXF(K,N,R,X)66N50Q2 11/Oct/2011.pdf
Schede tecniche
IXFN66N50Q2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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