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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN60N60
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN60N60 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN60N60
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN60N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN60N60.pdf
In magazzino: 5130

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN60N60
Specifiche tecniche IXYS - IXFN60N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN60N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN60N60

Proprietà del prodotto IXFN60N60 IXFN62N80Q3 IXFN66N85X IXFN52N90P
Modello di prodotti IXFN60N60 IXFN62N80Q3 IXFN66N85X IXFN52N90P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Rds On (max) a Id, Vgs 75mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 31A, 10V 65mOhm @ 33A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™, Ultra X Polar™
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 308nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 49A (Tc) 65A (Tc) 43A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube -
Numero di prodotto di base IXFN60 IXFN62 IXFN66 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 800 V 850 V 900V
Dissipazione di potenza (max) 700W (Tc) 960W (Tc) 830W (Tc) 890W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN60N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN60N60 PDF e la documentazione IXYS per IXFN60N60 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXFN60N60.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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