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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN62N80Q3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN62N80Q3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN62N80Q3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN62N80Q3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN62N80Q3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN62N80Q3
Specifiche tecniche IXYS - IXFN62N80Q3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN62N80Q3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q3 Class  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 31A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN62  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN62N80Q3

Proprietà del prodotto IXFN62N80Q3 IXFN55N50 IXFN60N80P IXFN52N90P
Modello di prodotti IXFN62N80Q3 IXFN55N50 IXFN60N80P IXFN52N90P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Numero di prodotto di base IXFN62 IXFN55 IXFN60 -
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar Polar™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 308nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc) 55A (Tc) 53A (Tc) 43A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 31A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 140mOhm @ 30A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 500 V 800 V 900V
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc) 625W (Tc) 1040W (Tc) 890W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
Pacchetto Tube Tube Tube -

IXFN62N80Q3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN62N80Q3 PDF e la documentazione IXYS per IXFN62N80Q3 - IXYS.

Schede tecniche
IXFN62N80Q3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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