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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-RFA2T20H330W24SR6
NXP Semiconductors / Freescale
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

A2T20H330W24SR6 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
A2T20H330W24SR6
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-A2T20H330W24SR6
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC TRANS RF LDMOS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
NI-1230-4LS2L
Scheda dati
RF Products Selector Guide.pdf
A2T20H330W24SR6.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 253

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche A2T20H330W24SR6
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - A2T20H330W24SR6, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - A2T20H330W24SR6

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - Prova 28V  
Tensione - nominale 65V  
Tipo transistor LDMOS (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore NI-1230-4LS2L  
Serie -  
Alimentazione - uscita 58W  
imballaggio Tape & Reel (TR)  
Contenitore / involucro NI-1230-4LS2L  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Altri nomi 935320763128  
Figura di rumore -  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Guadagno 16.5dB  
Frequenza 1.88GHz  
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 700mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L  
Valutazione attuale -  
Corrente - Test 700mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale A2T20H330W24SR6

Proprietà del prodotto A2T20H330W24SR6 A2T23H300-24SR6 A2T18S165-12SR3 A2T09D400-23NR6
Modello di prodotti A2T20H330W24SR6 A2T23H300-24SR6 A2T18S165-12SR3 A2T09D400-23NR6
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc.
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Frequenza 1.88GHz 2.3GHz 1.805GHz ~ 1.995GHz 716MHz ~ 960MHz
Contenitore dispositivo fornitore NI-1230-4LS2L NI-1230-4LS2L NI-780S-2L2L OM-1230-4L2S
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Tensione - nominale 65V 65 V 65V 70 V
imballaggio Tape & Reel (TR) - - -
Alimentazione - uscita 58W 66W 148W 400W
Contenitore / involucro NI-1230-4LS2L NI-1230-4LS2L NI-780S-2L2L OM-1230-4L2S
Tensione - Prova 28V 28 V 28V 28 V
Corrente - Test 700mA 750 mA 800mA 1.2 A
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 700mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L - RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L -
Altri nomi 935320763128 - 935316365128 -
Valutazione attuale - - 10µA -
Tipo transistor LDMOS (Dual) - LDMOS -
Guadagno 16.5dB 14.9dB 18dB 17.8dB
Figura di rumore - - - -
Serie - - - -

A2T20H330W24SR6 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica A2T20H330W24SR6 PDF e la documentazione NXP Semiconductors / Freescale per A2T20H330W24SR6 - NXP Semiconductors / Freescale.

Specifiche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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