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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-RFA2T18S262W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

A2T18S262W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
A2T18S262W12NR3
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-A2T18S262W12NR3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
OM-880X-2L2L
Scheda dati
A2T18S262W12NR3.pdf
In magazzino: 600

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Specifiche

Specifiche tecnologiche A2T18S262W12NR3
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S262W12NR3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S262W12NR3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - Prova 28V  
Tensione - nominale 65V  
Tipo transistor LDMOS  
Contenitore dispositivo fornitore OM-880X-2L2L  
Serie -  
Alimentazione - uscita 231W  
Contenitore / involucro OM-880X-2L2L  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Altri nomi 935346497528  
Figura di rumore -  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)  
Guadagno 19.3dB  
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz  
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L  
Valutazione attuale 10µA  
Corrente - Test 1.6A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale A2T18S262W12NR3

Proprietà del prodotto A2T18S262W12NR3 AFT05MS003NT1 A2T27S020GNR1 A2T09D400-23NR6
Modello di prodotti A2T18S262W12NR3 AFT05MS003NT1 A2T27S020GNR1 A2T09D400-23NR6
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Contenitore dispositivo fornitore OM-880X-2L2L SOT-89A TO-270-2 GULL OM-1230-4L2S
Corrente - Test 1.6A 100 mA 185 mA 1.2 A
Tensione - Prova 28V 7.5 V 28 V 28 V
Tipo transistor LDMOS - - -
Contenitore / involucro OM-880X-2L2L TO-243AA TO-270BA OM-1230-4L2S
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) - - -
Altri nomi 935346497528 - - -
Valutazione attuale 10µA - - -
Figura di rumore - - - -
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz 520MHz 400MHz ~ 2.7GHz 716MHz ~ 960MHz
Tensione - nominale 65V 30 V 65 V 70 V
Guadagno 19.3dB 20.8dB 21dB 17.8dB
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L - - -
Alimentazione - uscita 231W 3W 20W 400W
Serie - - - -

A2T18S262W12NR3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica A2T18S262W12NR3 PDF e la documentazione NXP Semiconductors / Freescale per A2T18S262W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Specifiche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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