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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-RFA2T18S162W31GSR3
NXP Semiconductors / Freescale
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

A2T18S162W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
A2T18S162W31GSR3
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-A2T18S162W31GSR3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC TRANS RF LDMOS
Pacchetto
NI-780GS-2L2LA
Scheda dati
RF Products Selector Guide.pdf
A2T18S162W31(G)SR3.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
La nostra certificazione
In magazzino: 349

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche A2T18S162W31GSR3
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - Prova 28V  
Tensione - nominale 65V  
Tipo transistor LDMOS  
Contenitore dispositivo fornitore NI-780GS-2L2LA  
Serie -  
Alimentazione - uscita 32W  
imballaggio Tape & Reel (TR)  
Contenitore / involucro NI-780GS-2L2LA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Altri nomi 935322254128  
Figura di rumore -  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Guadagno 20.1dB  
Frequenza 1.84GHz  
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA  
Valutazione attuale -  
Corrente - Test 1A  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale A2T18S162W31GSR3

Proprietà del prodotto A2T18S162W31GSR3 A2T18S262W12NR3 A2T18S260W12NR3 A2T18H410-24SR6
Modello di prodotti A2T18S162W31GSR3 A2T18S262W12NR3 A2T18S260W12NR3 A2T18H410-24SR6
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc.
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Contenitore / involucro NI-780GS-2L2LA OM-880X-2L2L OM-880X-2L2L NI-1230-4LS2L
Guadagno 20.1dB 19.3dB 18.7dB 17.4dB
Frequenza 1.84GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz
Tensione - nominale 65V 65V 65V 65 V
Valutazione attuale - 10µA 10µA -
Figura di rumore - - - -
Corrente - Test 1A 1.6A 1.5A 800 mA
Tensione - Prova 28V 28V 28V 28 V
Altri nomi 935322254128 935346497528 935313167528 -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) 3 (168 Hours) 3 (168 Hours) -
imballaggio Tape & Reel (TR) - - -
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L -
Alimentazione - uscita 32W 231W 280W 71W
Tipo transistor LDMOS LDMOS LDMOS -
Contenitore dispositivo fornitore NI-780GS-2L2LA OM-880X-2L2L OM-880X-2L2L NI-1230-4LS2L
Serie - - - -

A2T18S162W31GSR3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica A2T18S162W31GSR3 PDF e la documentazione NXP Semiconductors / Freescale per A2T18S162W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Specifiche
RF Products Selector Guide.pdf A2T18S162W31(G)SR3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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