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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-RFA2T18S260W12NR3
NXP Semiconductors / Freescale
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

A2T18S260W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale

fabbricante Modello di prodotti
A2T18S260W12NR3
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-A2T18S260W12NR3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
OM-880X-2L2L
Scheda dati
A2T18S260W12NR3.pdf
In magazzino: 245

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Specifiche

Specifiche tecnologiche A2T18S260W12NR3
Specifiche tecniche NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S260W12NR3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S260W12NR3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - Prova 28V  
Tensione - nominale 65V  
Tipo transistor LDMOS  
Contenitore dispositivo fornitore OM-880X-2L2L  
Serie -  
Alimentazione - uscita 280W  
Contenitore / involucro OM-880X-2L2L  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Altri nomi 935313167528  
Figura di rumore -  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)  
Guadagno 18.7dB  
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz  
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L  
Valutazione attuale 10µA  
Corrente - Test 1.5A  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP Semiconductors / Freescale A2T18S260W12NR3

Proprietà del prodotto A2T18S260W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T21H410-24SR6 A2T18S262W12NR3
Modello di prodotti A2T18S260W12NR3 A2T18H100-25SR3 A2T21H410-24SR6 A2T18S262W12NR3
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale
Figura di rumore - - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) - 1 (Unlimited) 3 (168 Hours)
Descrizione dettagliata RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.7dB 280W OM-880X-2L2L - RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L
Contenitore / involucro OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L OM-880X-2L2L
Frequenza 1.805GHz ~ 1.88GHz 1.81GHz 2.17GHz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Guadagno 18.7dB 18.1dB 15.6dB 19.3dB
Serie - - - -
Altri nomi 935313167528 - 935312756128 935346497528
Valutazione attuale 10µA - - 10µA
Tensione - Prova 28V 28 V 28V 28V
Tensione - nominale 65V 65 V 65V 65V
Tipo transistor LDMOS - LDMOS (Dual) LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore OM-880X-2L2L NI-780-4S4 NI-1230-4LS2L OM-880X-2L2L
Corrente - Test 1.5A 230 mA 600mA 1.6A
Alimentazione - uscita 280W 18W 72W 231W

A2T18S260W12NR3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica A2T18S260W12NR3 PDF e la documentazione NXP Semiconductors / Freescale per A2T18S260W12NR3 - NXP Semiconductors / Freescale.

Specifiche
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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