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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD24N06LT4G
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD24N06LT4G - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
NTD24N06LT4G
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD24N06LT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD24N06LT4G.pdf
In magazzino: 4000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD24N06LT4G
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - NTD24N06LT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - NTD24N06LT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTD24  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G

Proprietà del prodotto NTD24N06LT4G NTD23N03RT4 NTD23N03RT4G NTD25P03LG
Modello di prodotti NTD24N06LT4G NTD23N03RT4 NTD23N03RT4G NTD25P03LG
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 5V 45mOhm @ 6A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V 80mOhm @ 25A, 5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1140 pF @ 25 V 225 pF @ 20 V 225 pF @ 20 V 1260 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base NTD24 NTD23 NTD23 NTD25
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 25 V 25 V 30 V
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±15V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 3.76 nC @ 4.5 V 3.76 nC @ 4.5 V 20 nC @ 5 V
Dissipazione di potenza (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) 75W (Tj)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta) 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 25A (Ta)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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