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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD24N06LT4G
NTD24N06LT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD24N06LT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD24N06LT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD24N06LT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD24N06L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 53050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD24N06LT4G
Specifiche tecniche onsemi - NTD24N06LT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD24N06LT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1140 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTD24  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD24N06LT4G

Proprietà del prodotto NTD24N06LT4G NTD24N06T4G NTD24N06LG NTD24N06LT4G
Modello di prodotti NTD24N06LT4G NTD24N06T4G NTD24N06LG NTD24N06LT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±15V ±20V ±15V ±15V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 5V 42mOhm @ 10A, 10V 45mOhm @ 10A, 5V 45mOhm @ 10A, 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 48 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Numero di prodotto di base NTD24 NTD24 NTD24 NTD24
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta) 24A (Ta) 24A (Ta) 24A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1140 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1140 pF @ 25 V 1140 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V 5V 5V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD24N06LT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD24N06LT4G PDF e la documentazione onsemi per NTD24N06LT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 18/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
NTD24N06L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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