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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD250N65S3H
NTD250N65S3H Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD250N65S3H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD250N65S3H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD250N65S3H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD250N65S3H.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 21820

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD250N65S3H
Specifiche tecniche onsemi - NTD250N65S3H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD250N65S3H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1.1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252)  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 106W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1261 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD250N65S3H

Proprietà del prodotto NTD250N65S3H NTD25P03LT4G NTD24N06LT4G NTD25P03L1G
Modello di prodotti NTD250N65S3H NTD25P03LT4G NTD24N06LT4G NTD25P03L1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 6.5A, 10V 80mOhm @ 25A, 5V 45mOhm @ 10A, 5V 80mOhm @ 25A, 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1261 pF @ 400 V 1260 pF @ 25 V 1140 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 106W (Tc) 75W (Tj) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 75W (Tj)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 30 V 60 V 30 V
Vgs (Max) ±30V ±15V ±15V ±15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D-PAK (TO-252) DPAK DPAK I-PAK
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFET® III - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1.1mA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4V, 5V 5V 4V, 5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 25A (Ta) 24A (Ta) 25A (Ta)

NTD250N65S3H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD250N65S3H PDF e la documentazione onsemi per NTD250N65S3H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Schede tecniche
NTD250N65S3H.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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