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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD25P03LG
NTD25P03LG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NTD25P03LG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD25P03LG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD25P03LG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD25P03L.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3770

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD25P03LG
Specifiche tecniche onsemi - NTD25P03LG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD25P03LG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tj)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTD25  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD25P03LG

Proprietà del prodotto NTD25P03LG NTD250N65S3H NTD2955-1G NTD25P03LT4
Modello di prodotti NTD25P03LG NTD250N65S3H NTD2955-1G NTD25P03LT4
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - SuperFET® III - -
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 1.1mA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 25 V 1261 pF @ 400 V 750 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±15V ±30V ±20V ±15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 24 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 650 V 60 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 10V 10V 4V, 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta) 13A (Tc) 12A (Ta) 25A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK D-PAK (TO-252) I-PAK DPAK
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 5V 250mOhm @ 6.5A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 80mOhm @ 25A, 5V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tj) 106W (Tc) 55W (Tj) 75W (Tj)
Numero di prodotto di base NTD25 - NTD2955 NTD25

NTD25P03LG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD25P03LG PDF e la documentazione onsemi per NTD25P03LG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NTD25P03L.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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