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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC634P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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FDC634P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDC634P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC634P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC634P.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3700

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC634P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDC634P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDC634P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDC634P

Proprietà del prodotto FDC634P FDC634P FDC633N FDC637BNZ
Modello di prodotti FDC634P FDC634P FDC633N FDC637BNZ
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Caratteristica FET - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 3.5A (Ta) 5.2A (Ta) 6.2A (Ta)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V 779 pF @ 10 V 538 pF @ 10 V 895 pF @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 42mOhm @ 5.2A, 4.5V 24mOhm @ 6.2A, 4.5V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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