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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC637BNZ
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC637BNZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC637BNZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC637BNZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC637BNZ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 197490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC637BNZ
Specifiche tecniche onsemi - FDC637BNZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC637BNZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 895 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDC637  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC637BNZ

Proprietà del prodotto FDC637BNZ FDC638APZ FDC637AN FDC636P
Modello di prodotti FDC637BNZ FDC638APZ FDC637AN FDC636P
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta) 4.5A (Ta) 6.2A (Ta) 2.8A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V 43mOhm @ 4.5A, 4.5V 24mOhm @ 6.2A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 895 pF @ 10 V 1000 pF @ 10 V 1125 pF @ 10 V 390 pF @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Numero di prodotto di base FDC637 FDC638 FDC637 FDC636
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC637BNZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC637BNZ PDF e la documentazione onsemi per FDC637BNZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 08/April/2008.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Changes 14/Jun/2019.pdf
Schede tecniche
FDC637BNZ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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