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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC634P
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC634P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC634P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC634P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC634P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 177530

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC634P
Specifiche tecniche onsemi - FDC634P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC634P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDC634  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC634P

Proprietà del prodotto FDC634P FDC636P FDC637BNZ FDC634P
Modello di prodotti FDC634P FDC636P FDC637BNZ FDC634P
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 2.8A (Ta) 6.2A (Ta) 3.5A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±12V ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 24mOhm @ 6.2A, 4.5V 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Numero di prodotto di base FDC634 FDC636 FDC637 -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V 390 pF @ 10 V 895 pF @ 10 V 779 pF @ 10 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

FDC634P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC634P PDF e la documentazione onsemi per FDC634P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Marking Change 07/Oct/2022.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
FDC634P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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