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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC633N
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC633N - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC633N
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC633N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC633N.pdf
In magazzino: 3690

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC633N
Specifiche tecniche onsemi - FDC633N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC633N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 5.2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 538 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDC633  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC633N

Proprietà del prodotto FDC633N FDC634P FDC633N FDC636P
Modello di prodotti FDC633N FDC634P FDC633N FDC636P
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base FDC633 - - FDC636
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Serie - PowerTrench® - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 538 pF @ 10 V 779 pF @ 10 V 538 pF @ 10 V 390 pF @ 10 V
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 5.2A, 4.5V 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 42mOhm @ 5.2A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta) 3.5A (Ta) 5.2A (Ta) 2.8A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDC633N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC633N PDF e la documentazione onsemi per FDC633N - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 08/April/2008.pdf
Schede tecniche
FDC633N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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