Specifiche tecnologiche DMHC10H170SFJ-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMHC10H170SFJ-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMHC10H170SFJ-13

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
fabbricante	Diodes Incorporated
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	V-DFN5045-12
Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	160mOhm @ 5A, 10V
Potenza - Max	2.1W
Contenitore / involucro	12-VDFN Exposed Pad
Pacchetto	Tape & Reel (TR)

Proprietà del prodotto	Valori degli attributi
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A, 2.3A
Configurazione	2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Numero di prodotto di base	DMHC10

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13

Proprietà del prodotto
Modello di prodotti	DMHC10H170SFJ-13	IRFH4255DTRPBF	SI4590DY-T1-GE3	FDME1023PZT
fabbricante	Diodes Incorporated	Infineon Technologies	Vishay Siliconix	onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V	15nC @ 4.5V	11.5nC @ 10V	7.7nC @ 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs	160mOhm @ 5A, 10V	3.2mOhm @ 30A, 10V	57mOhm @ 2A, 10V	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET	-	Logic Level Gate	-	Logic Level Gate
Contenitore / involucro	12-VDFN Exposed Pad	8-PowerVDFN	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	6-UFDFN Exposed Pad
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A, 2.3A	64A, 105A	3.4A, 2.8A	2.6A
Potenza - Max	2.1W	31W, 38W	2.4W, 3.4W	600mW
Contenitore dispositivo fornitore	V-DFN5045-12	PQFN (5x6)	8-SOIC	6-MicroFET (1.6x1.6)
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	2.1V @ 35µA	2.5V @ 250µA	1V @ 250µA
Numero di prodotto di base	DMHC10	IRFH4255	SI4590	FDME1023
Pacchetto	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V	1314pF @ 13V	360pF @ 50V	405pF @ 10V
Tipo montaggio	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss)	100V	25V	100V	20V
Configurazione	2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel	2 P-Channel (Dual)
Serie	-	HEXFET®	TrenchFET®	PowerTrench®

DMHC10H170SFJ-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMHC10H170SFJ-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMHC10H170SFJ-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN: Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche: DMHC10H170SFJ.pdf

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