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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRF7105QTRPBF
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IRF7105QTRPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRF7105QTRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7105QTRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7105QPbF.pdf
In magazzino: 5410

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7105QTRPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRF7105QTRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRF7105QTRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base IRF71  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRF7105QTRPBF

Proprietà del prodotto IRF7105QTRPBF IRF7104TRPBF IRF7105PBF IRF7104PBF
Modello di prodotti IRF7105QTRPBF IRF7104TRPBF IRF7105PBF IRF7104PBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V 290pF @ 15V 330pF @ 15V 290pF @ 15V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 25nC @ 10V 27nC @ 10V 25nC @ 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Caratteristica FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A 2.3A 3.5A, 2.3A 2.3A
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
Tensione drain-source (Vdss) 25V 20V 25V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V

IRF7105QTRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF7105QTRPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRF7105QTRPBF - Infineon Technologies.

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PCN Obsolescence/ EOL
EOL527R 04/May/2014.pdf
Schede tecniche
IRF7105QPbF.pdf

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