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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLMS6702TR
IRLMS6702TR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLMS6702TR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLMS6702TR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLMS6702TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
IRLMS6702.pdf
In magazzino: 4860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLMS6702TR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLMS6702TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLMS6702TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLMS6702TR

Proprietà del prodotto IRLMS6702TR IRLR014 IRLMS5703TR IRLMS6702TRPBF
Modello di prodotti IRLMS6702TR IRLR014 IRLMS5703TR IRLMS6702TRPBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 700mV @ 250µA (Min) 2V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 8.8 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 15 V 400 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 210 pF @ 15 V
Contenitore / involucro SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 SOT-23-6
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore Micro6™(SOT23-6) D-Pak Micro6™(SOT23-6) Micro6™(TSOP-6)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 200mOhm @ 1.6A, 10V 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Serie - - - HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 60 V 30 V 20 V
Pacchetto Cut Tape (CT) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta) 7.7A (Tc) 2.3A (Ta) 2.4A (Ta)

IRLMS6702TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLMS6702TR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLMS6702TR - Infineon Technologies.

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Part Number Guide.pdf
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Schede tecniche
IRLMS6702.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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