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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1404ZSPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1404ZSPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRL1404ZSPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1404ZSPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL1404ZSPBF.pdf
In magazzino: 4100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1404ZSPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRL1404ZSPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRL1404ZSPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRL1404ZSPBF

Proprietà del prodotto IRL1404ZSPBF IRL2203NLPBF IRL1404ZL IRL1404ZS
Modello di prodotti IRL1404ZSPBF IRL2203NLPBF IRL1404ZL IRL1404ZS
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.7V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-262 TO-262 D2PAK
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V 110 nC @ 5 V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 116A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 30 V 40 V 40 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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