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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1404ZSTRLPBF
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1404ZSTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1404ZSTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1404ZSTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL1404ZSTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 20698

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1404ZSTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1404ZSTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1404ZSTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL1404  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1404ZSTRLPBF

Proprietà del prodotto IRL1404ZSTRLPBF IRL2203NSPBF IRL1404ZL IRL2203NL
Modello di prodotti IRL1404ZSTRLPBF IRL2203NSPBF IRL1404ZL IRL2203NL
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Numero di prodotto di base IRL1404 - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK TO-262 TO-262
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 30 V 40 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V 60 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 116A (Tc) 75A (Tc) 116A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V

IRL1404ZSTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1404ZSTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1404ZSTRLPBF - Infineon Technologies.

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