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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1404ZPBF
IRL1404ZPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1404ZPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL1404ZPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1404ZPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL1404ZPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30107

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1404ZPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL1404ZPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL1404ZPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL1404  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL1404ZPBF

Proprietà del prodotto IRL1404ZPBF IRL1404PBF IRL1404ZL IRL1404SPBF
Modello di prodotti IRL1404ZPBF IRL1404PBF IRL1404ZL IRL1404SPBF
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Numero di prodotto di base IRL1404 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-262 D2PAK
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 160A (Tc) 75A (Tc) 160A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 230W (Tc) 200W (Tc) 230W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.3V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 6590 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 3V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V 110 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V

IRL1404ZPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL1404ZPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL1404ZPBF - Infineon Technologies.

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