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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL1404SPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL1404SPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRL1404SPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL1404SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL1404SPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL1404SPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRL1404SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRL1404SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRL1404SPBF

Proprietà del prodotto IRL1404SPBF IRL1104SPBF IRL1404LPBF IRL1404STRLPBF
Modello di prodotti IRL1404SPBF IRL1104SPBF IRL1404LPBF IRL1404STRLPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK TO-262 D2PAK
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.3V, 10V 4.5V, 10V 4.3V, 10V 4.3V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 104A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V 68 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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