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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciIRFI4212H-117PXKMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI4212H-117PXKMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI4212H-117PXKMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI4212H-117PXKMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Scheda dati
IRFI4212H-117PXKMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 46840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI4212H-117PXKMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI4212H-117PXKMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI4212H-117PXKMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5 Full-Pak  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 72.5mOhm @ 6.6A, 10V  
Potenza - Max 18W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-5 Full Pack, Formed Leads  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base IRFI4212  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI4212H-117PXKMA1

Proprietà del prodotto IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117P IRFI4024H-117P IRFI4019HG-117P
Modello di prodotti IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117P IRFI4024H-117P IRFI4019HG-117P
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 18nC @ 10V 13nC @ 10V 20nC @ 10V
Numero di prodotto di base IRFI4212 IRFI4212 IRFI4024 IRFI4019
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 25µA 4.9V @ 50µA
Caratteristica FET - - - -
Potenza - Max 18W (Tc) 18W 14W 18W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 11A 11A 8.7A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 60mOhm @ 7.7A, 10V 95mOhm @ 5.2A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V 490pF @ 50V 320pF @ 50V 810pF @ 25V
Tensione drain-source (Vdss) 100V 100V 55V 150V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-220-5 Full Pack, Formed Leads TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack, Formed Leads

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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