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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFI4410ZGPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRFI4410ZGPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFI4410ZGPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
IRFI4410ZGPbF.pdf
In magazzino: 5000

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFI4410ZGPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRFI4410ZGPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRFI4410ZGPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 26A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRFI4410ZGPBF

Proprietà del prodotto IRFI4410ZGPBF IRFI4227PBF IRFI520N IRFI4410ZPBF
Modello di prodotti IRFI4410ZGPBF IRFI4227PBF IRFI520N IRFI4410ZPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc) 26A (Tc) 7.6A (Tc) 43A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) 46W (Tc) 30W (Tc) 47W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V 4600 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 4910 pF @ 50 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 150µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 26A, 10V 25mOhm @ 17A, 10V 200mOhm @ 4.3A, 10V 9.3mOhm @ 26A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak

IRFI4410ZGPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFI4410ZGPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRFI4410ZGPBF - Infineon Technologies.

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Schede tecniche
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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